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    AU6980 B4   ad dc 80 95   1x1   S7Jflash extractor  

    2024-02-23 09:44:57 3

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    2024-02-23 09:41:52 6

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    AU6384   ec da 80 15   1x1   S7pflash extractor  

    2024-02-23 09:40:59 5

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    2024-01-29 22:49:29 MetInfo 63

  • Flash Extractor芯片的读取教程

    芯片读取拆焊芯片放置NAND读卡器读取重试DDR 总线WL v2问题芯片

    2024-01-29 20:04:08 jsos 89

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    2024-01-23 23:26:17 jsos 30

  • Flash的读取:实际还是比较电流

    假设有两个SLC存储单元,分别用红色实线和蓝色实线表示;还有一个比较电压,用黑色虚线表示。 1.如要通过判断Vt的方法来判别两个存储单元是擦除态还是编程态,就需要通过多次操作,找到Vt1和Vt2,然后将他们与Vref做比较来得出结论,这在性能和可靠性上是不可取的。 2.更简单的方法是,在所有存储单元的栅极上加一个Vref电压,一次性获得这些存储端元的Id。Id大于It的,就是擦除态的单元;反之就是编程态的单元。因为只操作了一次,所以性能和可靠性更优。 Id的比较则有多种方法。在NOR闪存上,因为Id电流较大(uA级),且NOR需要百纳秒级的读取速度,因此一般直接用分压的方法将Id转为电压作比较。简图如下,

    2023-09-26 23:31:02 98825 76

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    上一篇介绍到为了保持闪存的源极电压为0、或者保证源极电压在写入和读取时不变,NOR和NAND都会有一些设计或者操作上的变化来解决这一问题。在NAND闪存上,另一个比较特殊的需求就是NAND中写入的数据需要做随机化处理。这一定程度上也和NAND存储单元源极电压的归一性相关。如图所示,假设有4个NAND串,最下方三行的编程、擦除状态如下:在用户读取最上方一行的存储单元时,这些存储单元的源极电压状态会各

    2023-09-26 23:27:24 98825 46

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